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吴自良（１９１７～），材料科学家，中国科学院院士。５０年代他研究苏联汽车用钢４０Ｘ的代用品，以锰、钼代铬成功，对我国合金钢体系的建立起了推动作用；６０年代领导研制成功分离铀同位素用的甲种分离膜，为原子能工业和国防现代化作出了重要贡献，以后又指导开展大规模集成电路用硅材料的品质因素以及高温超导氧化物中氧的扩散行为和作用的研究，致力于发展我国高技术材料和材料科学，并培育了大批科技人才。
吴自良，１９１７年１２月２５日出生于浙江省浦江县前吴村。他幼年丧父，由母亲和兄、姐抚养成人；１９２６年就读于浦江县浦阳小学，１９２９年毕业后赴杭州入浙江省立第一中学初中学习，１９３２年考入浙江省立杭州高级中学，１９３５年毕业后，考入北洋大学工学院，先读矿冶，后转学航空机械。１９３７年抗日战争爆发，北洋大学内迁陕西省城固县，与焦作工学院合并为西北工学院。１９３９年吴自良毕业后，被分配到云南垒允中央飞机制造厂设计科任设计员。１９４２年工厂遭日机轰炸后解散，撤退到昆明，他任中央机器厂副工程师。１９４３年他在大姐的资助下，自费赴美留学，在美国匹兹堡卡内基理工学院（今卡内基·梅隆大学）冶金系读研究生，师从物理冶金学家Ｃ．Ｓ巴瑞特（Ｃ．Ｓ Ｂａｒｒｅｔｔ）教授和物理学家Ｒ．斯莫洛柯夫斯基（Ｒ．Ｓｍｏｌｕｃｈｏｗｓｈｉ）教授。留学期间，他悉心钻研物理冶金学，１９４８年完成题为《片状铝单晶中滑移机制和内耗的关系》的学位论文，获理学博士学位，毕业后留在卡内基理工学院金属研究所作博士后。１９４９年，吴自良应聘到锡腊丘斯大学材料系任副研究员，主持“软钢中阻尼和疲劳”的研究。中华人民共和国成立后，他于１９５０年冬，抱着发展中国冶金科技事业的愿望，取道香港回国，任唐山北方交通大学冶金系教授。１９５１年夏，他应聘为中国科学院工学实验馆（今中国科学院上海冶金研究所）研究员，负责物理冶金方面的科研工作，先后担任物理冶金研究室主任、副所长等职，现任该所学术委员会主任、学位评定委员会主任。
作为材料科学家，吴自良一直致力于国家经济建设和国防建设所急需的关键实用材料的研制工作，以及有关材料科学的基础研究。其研究领域广泛，涉及金属、半导体和氧化物超导体等各个方面。４０多年来，他和他所指导的研究集体，硕果累累，成绩卓著：５０年代率先完成的苏联低合金钢４０Ｘ的代用品的研制，对建立我国自己的合金钢系统起了推动作用；６０年代自力更生研制成分离铀同位素的核心部件甲种分离膜，打破了核垄断，为我国成功爆炸原子弹作出了重大贡献；７０年代提出和指导了大规模合成电路用硅材料品质因素的研究，取得了多项成果；近年来，吴自良不顾年逾古稀，满腔热情地投入高温超导氧化物中氧的扩散行为的研究，发表了有独到见解的论文数篇。
鉴于吴自良在材料科学方面的突出贡献，１９８０年他被选为中国科学院学部委员（１９９３年改称院士）。吴自良以渊博的学识，严谨的治学态度，平易近人的作风，几十年如一日、不倦地耕耘在科研第一线，切实为祖国建设作贡献，而深受大家的尊敬。他是上海市政协第五、六、七届常务委员，中国金属学会第一、二、三届理事。
首创我国低合金钢材料，制成铀同位素分离膜
吴自良回国初期，其主要志愿是要充分应用在美国学到的知识，在物理冶金学科的发展中，做出高质量的工作，为中国人争一席之地。但是，当时国家情况是百废待兴，经济建设和国防建设中有大量材料科学方面的实际的基础性课题需要研究解决。在这个矛盾面前，他毅然服从国家需要，从“特种合金电阻丝”到“含油轴承”；从“苏联低合金钢４０Ｘ代用品的研究”，到原子能工业分离铀同位素用的关键部件“甲种分离膜”的制造技术等等，都以严肃认真的态度，完成了一项又一项国家急需的科研任务。从查资料、出主意、定方案、订计划，到组织安排研究力量，讨论分析实验结果，攻克技术难关，他都集中精力、一丝不苟地工作着，有时为了完成紧急任务，还和青年人一起加班干到深夜。
５０年代，为了实现工业化，机械制造业需要有大量低合金钢。当时，我国钢铁工业非常落后，合金钢的研制是空白，所用的合金钢都是美、英和苏联牌号，其中有一些含有我国稀缺的元素。例如一种制造汽车用的苏联低合金钢４０Ｘ，含铬１％左右。当时我国少镍缺铬，难以生产，第一机械工业部向中国科学院提出要求结合我国资源状况，研究４０Ｘ钢的代用品。吴自良接受远项任务后，经过调查研究，确定以我国富产的锰、钼代替铬，从生产成本、机械性能、化学、热处理性能等方面进行了系统研究，终于制出含锰１．１０％～１．５０％、铝０．１２％～０．１８％的锰钼钢。其生产成本比４０Ｘ钢低，低温冲击韧性、回火脆化敏感程度等比４０Ｘ钢优越，疲劳性能、氰化性能与４０Ｘ钢相似。这项成果在１９５４年全国金属研究工作报告会上发表后，受到一致好评，并在抚顺钢厂、长春第一汽车厂和上海柴油机厂进行了推广应用。这项成果对建立我国自己的合金钢系统起了开创作用，被誉为建立我国合金钢系统的典范，获得了１９５６年我国首次颁发的国家自然科学三等奖。
铀是原子能工业的主要原料，把铀２３５从天然铀中分离出来是原子能工业和制造原子弹的关键技术之一。用气体扩散法以工业规模生产铀２３５的技术中，要使用一个关键部件－－“甲种分离膜”。它的制备涉及粉末冶金、物理冶金、机械加工、金属腐蚀等多项技术。在６０年代初只有美苏、英三国掌握这项技术，被列为重大国家机密，严禁扩散，当时苏联称之为“社会主义阵营安全的心脏”。１９６０年中苏关系恶化，苏联中断协议，撤退专家，带走技术资料，我国刚刚起步的原子能工业面临天折的危险。我国政府决定自力更生研制铀同位素分离膜，建立工厂，以保证气体扩散工厂的正常生产和发展。１９６１年底国家将甲种分离膜研制任务下达给中国科学院和上海市，为加快进度，集中组织有关专家和科技人员到上海冶金研究所协作攻关，要求吴自良担任这个重大项目的技术总负责人。在国家需要面前，吴自良毅然放下刚重新组织安排好的金属物理基础研究计划，挑起了负责研制“甲种分离膜”的重任。经过科学院、高校和工业部门的共同努力，历时３年多，终于胜利完成了研究、试制和工业生产的任务，为打破某些国家的核垄断，使我国步入核大国的行列，作出了重要贡献。这项成果是荣获１９８４年国家创造发明一等奖和１９８５年国家科技进步特等奖－－“原子弹的突破和武器化”国防专项的覆盖子项目。
在材料科研新领域中不断开拓前进
吴自良在完成实际科研任务的同时，总要提出相应的学科问题，把科研工作引向深入，提高学术水平。
５０年代，吴自良针对钢的抗时效性能，提出研究合金元素和间隙原子间的交互作用问题；针对钢和钼合金的脆性，提出了研究间隙原子和位借交互作用的问题；针对铝合金的烧结和抗氧化保护层提出了扩散问题。６０年代，组建精密合金研究室时，他亲自走南闯北，邀请中国科学院物理研究所和南京大学有关专家来所为科研人员讲课，以充实学科基础，提高科研工作的起点，并结合精密合金的研制，提出研究相变问题的方向。虽然限于当时的历史条件，他的很多设想未能充分实现，但已完成的部分工作，如５０年代发表的《面心立方金属中间隙原子扩散内耗峰机制的研究》和８０年代完成的《关于体心立方金属中合金元素原子和间隙原子间相互作用》的论文，在国际和国内学术交流中都得到好评，有相当影响。
“文化大革命”后期，他重返科研岗位后，针对半导体器件和大规模集成电路成品率低和可靠性差的问题，经过调查研究，提出开展单项工艺和硅材料品质因素的研究。在他的倡导推动和具体指导下，这方面的研究迅速开展起来，取得了一批有影响的成果。其中“ＳｉＯ２胶体抛光工艺”、“９微米红外吸收法测定硅单晶中氧含量的标定曲线”和“大规模集成电路硅单晶的氧本征吸杂研究”等分别获得中国科学院和上海市的科技进步奖。
８０年代后期，很多国家掀起了研究高温超导氧化物的热潮。考虑到这种新材料在高技术领域中极端重要，吴自良不顾年逾古稀，身患痼疾，仍满腔热情地投入这个新的研究领域，广泛搜集文献资料，掌握动向，出主意，定方案，指导一批中青年科技工作者和研究生开展高温超导材料，特别是薄膜材料的制备工艺的研究，以及氧在高温超导氧化物中扩散行为和作用的研究。他们利用内耗研究氧在高温超导材料中的扩散行为，并把氧的扩散行为与材料的缺陷结构联系起来，发表的论文有独到的见解，深受国外同行的好评。
目前，吴自良仍在孜孜不倦地、切切实实地在材料科学研究的新领域中，不断开拓前进。
为国家培养了大批科技人才
作为中国科学院上海冶金研究所物理冶金的学科带头人，吴自良在刻苦攻关的同时，热情地指导研究生，积极培养中青年科技人才。
１９５１年，他在北方交通大学冶金系讲授物理冶金课程时，内容新颖丰富，倍受学生欢迎。到上海冶金所后，他热情招收研究生，结合科研实践培养年轻的科技人才，为他们确定研究方向，选择研究课题，讲授《金属的滞弹性》、《点缺陷与位错的交互作用》和《固体中的扩散》等金属物理方面的专业基础课程。他在５０年代和６０年代培养的中青年科技人才，现在都已成为研究所和高等学校的科研和教学骨干。
７０年代以来，随着科技事业的发展，磁性材料、半导体材料、超导材料等新的研究领域要求研究人员有更坚实的物理学基础，１９７８年全国科学大会后，吴自良即倡导和组织为所内工科出身的科研人员讲授理论物理课，包括理论力学、统计物理、电动力学和量子力学。４门课程中他一人独担３门，呕心沥血，坚持了整整两年。
恢复研究生制度后，作为上海冶金研究所学术委员会主任和学位评定委员会主任，他挑起了全面负责所内研究生培养工作的重担。在广泛调研国内外研究生培养情况的基础上，他悉心指导，积极筹划，严格把关，为培养青年科技人才而贡献余热。他治学严谨，对研究生的论文要求严格，认真审阅，逐句修改。他特别重视培养博士研究生的独立科研能力，在为他们确定研究方向和主题后，放手让他们去创造，并辅之以经常性的讨论和指导。他从思想品德、学习和生活各方面全面关心研究生的成长。
在他的辛勤耕耘和培育下，新一代人才正在茁壮成长。他所培养的研究生中，有的获得青年科学基金，有的获得中国科学院院长奖学金，有的在超导攻关任务中创造了块材临界电流密度的国际最高水平，被破格晋升为副研究员。由于在培养研究生方面成绩卓著，吴自良于１９９０年被中国科学院评为优秀研究生导师。
简历
１９１７年１２月２５ 日出生于浙江省浦江县。
１９３５～１９３７年 在天津北洋大学工学院学习。
１９３７～１９３９年 在西北工学院航空系学习。
１９３９～１９４２年 任云南垒允中央飞机制造厂设计员。
１９４２～１９４３年 任云南昆明中央机器厂工程师。
１９４４～１９４８年 在美国匹兹堡卡内基理工学院冶金系攻读研究生，获理学博士学位。
１９４８～１９４９年 读美国卡内基理工学院金属研究所博士后。
１９４９～１９５０年 任美国锡腊丘斯大学材料系副研究员。
１９５１年 任唐山北方交通大学冶金系教授。
１９５１年夏 任中国科学院工学实验馆（今中国科学院上海冶金研究所）研究员，历任物理冶金研究室主任、副所长等职。
主要论著
１ 吴自良等．片状铝单晶的滑移和临界应力的关系．ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．１９５０．
２ 吴自良，陈源，杨佩璋等．苏联低合金钢４０Ｘ代用品的研究．金属研究工作报告会会刊，１９５４．
３ 吴自良，王其闵．碳在面心铁～镍合金中扩散内耗峰的机制．物理学报，１９５８年，１４：３５４．
４ 吴自良．点缺陷与位错的交互作用，载晶体缺陷与金属强度，上册．北京：科学出版社，１９６０；１９５～２４２．
５ 葛庆麟，施天生，吴自良等．Ｆｅ－Ｔｉ－Ｎ合金α相区淬火的Ｓ－ｉ交互内耗峰．金属学报．１９８２，１８（３）：３１６．
６ Ｗｕ Ｚ－Ｌ．Ｃｈｅｎ ＴＧ．ＩｎｔｅｒａＣｔｉｏｎ ｂｅｔｗｅｅｎ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｓｏｌｕｔｅｓ ｉｎ ｄｉｌｕｔｅ Ｆｅ－Ｖ－Ｎ ａｌｌｏｙｓ．Ｊ．ｄｅｐｈｙｓｉｑｕｅ，１９８５（４６）：ｓｕｐｐｌ．１２（Ｃｉｏ）：３９～４１．
７ Ｈａｎ Ｓ Ｑ，Ｗｕ ＺＬ．ＡＳｔｕｄｙ ｏｆ ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ－ｔｏ－ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ｘｂｙ ｄｉａｌａｔｏｍｅｔｒｙ．Ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，ＭＲＳ ｐｒｏｃ．１９８８，（９９）：８８７．
８ Ｘｉｅ Ｘ Ｍ，ｃｈｅｎ ＴＧ，Ｗｕ Ｚ Ｌ．Ｑｘｙｇｅｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ｘ．Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ４０，１９８９：４５４９．
９ Ｗｕ Ｚ Ｌ，Ｚｈａｎｇ Ｘ Ｋ，Ｔａｏ Ｗ ｅｔａｌ．Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｓｕｐｅｒｃｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ＭＯＣＶＤ ａｎｄ ＲＦ ｍａｇ－ｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ．ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，Ｓｉｎｇａｐｏｌｅ，Ｗｏｒｌｄ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，１９９０，（２２）：３２～３５．
１０ Ｗｕ Ｚ Ｌ，Ｗｅｉ Ｍ Ｚ，Ｃｈｅｎ Ｙ Ｘ ｅｔａｌ．Ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｉｔｙ ａｎｄ ｏｘｙｇｅｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｉｎ ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ＹＢａ２ Ｃｕ３Ｏ７－５ Ｆｉｌｍｓ．Ｐｒｏｃ．ｏｆ Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ．ｏｎ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ａｐ－ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９１，（′９１ＴＦＰＡ）Ｓｈａｎｇ ｈａｉ Ｃｈｉｎａ，ＳＰＩＥ（１５９）：６１８～６２４．
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